一种X波段GaAs MMIC单刀双掷开关的设计和测试

摘要：

本文设计了基于0.2μm GaAs工艺的X波段微波单片集成的单刀双掷开关电路.在频率为8~11GHz内,电路在具有较好的隔离特性之外还可保持较小的差损.仿真插损为0.8dB左右,隔离度大于30dB.实际流片测试结果和设计结果较为吻合.

关键词： 单刀双掷开关 单片微波集成电路 插损 隔离度 X波段

作者: 李芹 王志功 夏春晓 熊明珍

作者单位: 东南大学射频和光电集成电路研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003全国微波毫米波会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 342-345

在线出版日期: 2003-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）