InGaAs红外探测器低频噪声研究

摘要：

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α<,H>=2×10<”-5>~7×10<”-5>,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关键词： 红外探测器 低频噪声 空间遥感

作者: 黄杨程 梁晋穗 张永刚 刘大福 庄春泉 李萍 龚海梅

作者单位: 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所(上海) 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3397-3399

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）