掺锗CZSi禁带宽度的变化

摘要：

采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.

关键词： 直拉法 晶体生长 SiGe体单晶 禁带宽度

作者: 牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 王雅欣

作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3360-3363

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）