a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响

摘要：

采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σ<,p>/σ<,d>)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.

关键词： 氢化非晶硅 氢含量 光敏性 光致衰退

作者: 王青 阴生毅 胡跃辉 朱秀红 荣延栋 周怀恩 陈光华

作者单位: 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3198-3200,3204

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）