氧分压对反应磁控溅射ZrO<,2>薄膜光学透射率的影响

摘要：

从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO<,2>薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减少使单斜相逐渐占优,缺氧状况的改善使薄膜透射率逐渐升高;高氧分压下,出现颗粒聚集现象,表面粗糙度大幅增加及晶粒的聚集长大,使薄膜透射率下降.

关键词： 氧分压 反应磁控溅射 ZrO<,2>薄膜 光学透射率

作者: 赵莎 徐可为

作者单位: 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室(陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3162-3164,3170

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）