微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究

摘要：

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm<”-1>附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

关键词： 氢化非晶硅 MWECR CVD 氢含量

作者: 李瀛 刘毅 阴生毅 胡跃辉 宋雪梅 邓金祥 朱秀红 陈光华

作者单位: 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3148-3151

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）