Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

摘要：

在SBN中掺进0.1﹪(质量分数)CeO<,2>和0.1﹪(质量分数)Eu<,2>O<,3>,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的位相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92﹪)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.

关键词： Ce:Eu:SBN晶体 全息存储性能 位相共轭

作者: 刘彩霞 徐朝鹏 徐玉恒

作者单位: 哈尔滨工业大学理学院应用化学系(黑龙江哈尔滨)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3090-3092

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）