温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响

摘要：

利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.

关键词： 扩径生长 SiC晶体 单晶生长 温度梯度

作者: 李现祥 李娟 董捷 王丽 姜守振 韩荣江 徐现刚 王继扬 胡小波 蒋民华

作者单位: 山东大学晶体材料国家重点实验室(山东济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3084-3086,3089

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）