水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制

摘要：

讨论了如何在水平坤化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采用以上措施可以在一定程度上降低位错.

关键词： 水平砷化镓 位错密度 熔区 温度梯度

作者: 于洪国 武壮文 王继荣 张海涛

作者单位: 北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3079-3080

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）