高掺镁LiNbO<,3>晶体抗光折变性能研究
在LiNbO<,3>中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol﹪):LN,Mg(3mol﹪):LN,Mg(5mol﹪):LN,Mg(7mol﹪):LN,和Mg(9mol﹪):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO<,3>晶体.测试Mg:LiNbO<,3>晶体的红外光谱,当Mg<”2+>的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO<,3>晶体,OH-吸收峰移到3535cm<”-1>,晶体抗光损伤能力比LiNbO<,3>晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO<,3>晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO<,3>晶体的相位匹配温度随Mg<”2+>浓度的增加而改变,Mg(5mol﹪):LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol﹪):LN晶体在室温附近.
LiNbO<,3>晶体 抗光折变性能 红外光谱 晶体生长 光损伤
夏宗仁 吴剑波 郑威 徐玉恒
CETC中电科技德清华莹电子有限公司(浙江德清县) 哈尔滨工业大学应用化学系(黑龙江哈尔滨)
国内会议
秦皇岛
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3034-3036
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）