单晶氮化硅(α-Si<,3>N<,4>)纳米线的制备及其光学性能

摘要：

介绍了用一种简单的气相合成方法制备了大量高纯单晶氮化硅(α-Si<,3>N<,4>)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30~80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500~700nm),发光峰位于567nm.

关键词： 氮化硅 纳米线 气-固机制 荧光 单晶硅片

作者: 解挺 吴玉程 张立德

作者单位: 合肥工业大学摩擦学研究所(安徽合肥);中国科学院固体物理研究所(安徽合肥) 合肥工业大学材料科学与工程学院(安徽合肥);中国科学院固体物理研究所(安徽合肥) 中国科学院固体物理研究所(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3027-3029

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）