负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究

摘要：

利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备得到了碳纳米管.研究发现,负偏压在NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响.本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用.

关键词： 碳纳米管 负偏压 热丝CVD

作者: 王必本 王波 朱满康 张兵 严辉

作者单位: 北京工业大学应用数理学院(北京);北京工业大学薄膜材料实验室(北京) 北京工业大学薄膜材料实验室(北京) 北京工业大学应用数理学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 2866-2869

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）