氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响（作者：顾广瑞）
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
氮化硼薄膜 场发射 氢等离子体 氧等离子体
顾广瑞 金逢锡 李全军 盖同祥 李英爱 赵永年
延边大学理工学院物理系(吉林延吉) 吉林大学超硬材料国家重点实验室(吉林长春)
国内会议
秦皇岛
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2246-2248
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）