负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究
由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击,使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑),增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积.本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.
金刚石膜 硅衬底 结合力
刘凤艳 刘宇星 刘敏蔷 侯碧辉
北京工业大学应用数理学院(北京)
国内会议
秦皇岛
中文
2171-2173
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）