BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自组装生长研究
利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO<,3>(100)单晶基片上在(10<”-5>Pa)高真空环境中外延生长SrTiO<,3>(STO)、BaTiO<,3>(BTO)、Ba<,0.6>Sr<,0.4>TiO<,3>(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式.根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外延层状生长.当保持BTO(110)/Si(111)层状生长,逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度是由整数倍单胞堆积而成,并且随着沉积速率从0.017nm/s降低到0.005nm/s时,每层高度由9降低到1个BTO单胞构成,这对由ABO<,3>钙钛矿材料自组装形成纳米结构具有重要意义.
铁电薄膜 BST 外延生长 LMBE
李金隆 张鹰 李言荣 邓新武 熊杰
电子科技大学微电子与固体电子学院(四川成都)
国内会议
秦皇岛
中文
1260-1263
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）