ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10<”-4>Ωcm,方块电阻~4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90﹪以上.
ZnO:Ga 光电特性 透明导电膜 溅射
余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 宗福建 张锡健 程传福 马洪磊
山东大学物理与微电子学院(山东济南) 山东师范大学物理系(山东济南)
国内会议
秦皇岛
中文
1131-1133
2004-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)