Mg:Er:LiNbO<,3>晶体波导基片抗光损伤的研究

摘要：

以Czochralski技术生长Mg(2mol﹪):Er(1mol﹪):LN,Mg(4mol﹪):Er(1mol﹪):LN, Mg(6mol﹪):Er(1mol﹪):LN, Mg(8mol﹪):Er(1mol﹪):LN,和Er(1mol﹪): LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO<,3>晶体的红外光谱,Mg(2mol﹪):Er:LN, Mg(4mol﹪):Er:LN OH<”->吸收峰在3486cm<”-1>附近,Mg(6mol﹪):Er:LN和Mg(8mol﹪):Er:LN晶体OH<”->吸收峰移动到3535cm<”-1>附近,对Mg:Er:LN晶体OH<”->吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol﹪):Er(1mol﹪):LN和Mg(8mol﹪):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol﹪):Er:LN和Mg(4mol﹪):Er:LN晶体比Er(1mol﹪):LN晶体提高一个数量级.

关键词： Mg:Er:LN晶体 波导基片 光损伤 发光材料

作者: 夏宗仁 徐朝鹏 郑威 徐玉恒

作者单位: CETC中电科技德清华莹电子有限公司(浙江德清) 哈尔滨工业大学电子科学与技术系(黑龙江哈尔滨) 哈尔滨工业大学应用化学系(黑龙江哈尔滨)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 468-470

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）