ZnO压敏薄膜的晶相特征及其对电性能的影响

摘要：

ZnO是一种重要的半导体材料.本文对ZnO薄膜对次晶相及其变化特征进行了研究.利用新型sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备了多元素掺杂的ZnO薄膜.并对次晶相在掺杂元素再分布中所起的作用及其对电性能的影响特征进行探讨.

关键词： 掺杂ZnO薄膜 低压压敏电阻 新型sol-gel法 晶相特征

作者: 黄焱球 刘梅冬 曾亦可 李楚容 许毓春

作者单位: 中国地质大学材料科学与化学工程学院(武汉) 华中科技大学电子科学与技术系(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业第十届学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 95-101

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）