氧化锌压敏电阻氧化铋性能探讨

摘要：

由于三氧化二铋在氧化锌压敏中构成晶界相而具有非线形伏-安特性,氧化铋也是难以替代的掺杂材料,本文对ZnO-Bi<,2>O<,3>体系相图,Bi<,2>O<,3>的四种晶相性能分析,从氧化铋晶相角度了解烧结温度过程造成晶界电性能的差异机理.通过对纳米材料对比加入实验,研究表明:低熔点氧化铋粉末在烧结过程中有利于材料致密化烧结.

关键词： ZnO-Bi<,2>O<,3>相图 氧化锌压敏陶瓷 纳米氧化铋 半导体 晶粒

作者: 禹争光 敬履伟 张安平

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院(成都);成都大禹功能材料有限公司(成都) 成都铁二局兴达电子电器厂(成都) 成都大禹功能材料有限公司(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业第十届学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 17-20

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）