GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析

摘要：

从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

关键词： 晶格失配 界面态密度 过渡层 GaAs

作者: 谭红琳 王雪雯

作者单位: 昆明理工大学材料系(云南昆明) 云南广播电视学校(云南昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3228-3230,3234

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）