Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究
采用气—液—固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50~300nm,长度在2~50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm<”-1>,最大发射电流密度约为0.03mAcm<”-2>,此时对应的电场约为2.5Vμm<”-1>.由测量所得I-V曲线得到的Fowler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.
气—液—固反应 Ag(TCNQ)纳米线 场发射
叶春暖 莫晓亮 徐华华 韩成赫 曹冠英 孙大林 陈国荣
复旦大学材料系(上海)
国内会议
秦皇岛
中文
2813-2815,2818
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）