热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜

摘要：

我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×10<”5>.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有10<”5>以上的光暗电导之比.

关键词： a-Si:H薄膜 热丝 光敏性 沉积速率

作者: 吴越颖 胡跃辉 阴生毅 荣延栋 王青 高卓 李瀛 宋雪梅 陈光华

作者单位: 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3184-3186

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）