热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究

摘要：

采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.

关键词： 非晶硅 红外 光致衰退 ECR-CVD 氢含量 热丝

作者: 荣延栋 阴生毅 胡跃辉 吴越颖 朱秀红 周怀恩 张文理 邓金祥 陈光华

作者单位: 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3181-3183

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）