WO<,3>薄膜退火热处理工艺的研究

采用真空镀膜工艺在微晶玻璃衬底上沉积了WO<,3>薄膜,WO<,3>薄膜从300~600℃分别进行了退火热处理,随着退火热处理温度的不同,WO<,3>薄膜从晶粒尺寸上以及晶相上都发生了较大的变化,并用SEM、XRD等手段进行了分析,随着退火热处理温度的升高,WO<,3>晶粒逐渐增大,并实现了从非晶向晶态的转变,最终得到了六方结构并且是在”100”方向上择优取向的WO<,3>薄膜,获得了稳定性较好的工艺条件,为进一步开发研制WO<,3>气敏元件提供了技术基础.
WO<,3> SEM XRD 薄膜 退火
陈曦 谢光忠 蒋亚东
电子科技大学微电子与固体电子学院(四川成都) 电子科技大学光电信息学院(四川成都)
国内会议
秦皇岛
中文
3178-3180
2004-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)