退火对sol-gel法生长的SiO<,2>薄膜特性的影响

摘要：

用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO<,2>薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.

关键词： 退火 sol-gel SiO<,2>薄膜 膜厚 折射率

作者: 郭嘉 龚明 许小亮 张慰萍 郭海 王燎原 陈滢滢 刘佩尧 刘洪图

作者单位: 中国科学技术大学物理系(安徽合肥);中国科学技术大学化学物理系(安徽合肥) 中国科学技术大学物理系(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届中国功能材料及其学术会议

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 3171-3174

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）