大面积均匀微波等离子体源的研制及其在SOI半导体材料制备工艺中的应用

摘要：

SOI(绝缘层上的硅)技术被国际公认为”二十一世纪的微电子技术”本文主要介绍了大面积均匀微波等离子体源的研制及其在SOI半导体材料制备工艺中的应用.

关键词： 微波等离子源 半导体材料 制备工艺

作者: 陈庆川 曾旭初 许泽金 朱剑豪

作者单位: 核工业西南物理研究院 香港城市大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 369-375

在线出版日期: 2004-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）