共掺氧对铒在硅中微观结构的影响

摘要：

本文主要介绍了利用离子束背散射沟道技术测量了氧掺入Si:Er系统后,氧对铒在硅半导体中微观结构的影响,改变铒在硅晶体中的晶格位置.

关键词： 离子注入 背散射 离子束沟道 金属铒

作者: 任晓堂 王忠义 于金祥

作者单位: 北京大学重离子物理研究所重离子物理教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 196-201

在线出版日期: 2004-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）