(Ga,Mn)N稀磁半导体的Mn<”+>注入制备和磁性研究

摘要：

本文主要介绍选择能量较低的Mn<”+>离子注入处于室温下的P型GaN薄膜,系统进行了多个剂量的Mn<”+>离子注入,在N<,2>气流中经~800℃的快速热退火后,用多种方法研究了样品的结构特征和磁学特性.

关键词： 稀磁半导体 离子注入 磁性

作者: 石瑛 林玲 蒋昌忠 付德君 范湘军

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院(湖北武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 172-176

在线出版日期: 2004-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）