Zn离子注入在GaN中的辐照损伤

摘要：

本文主要对Zn沟道注入和随机注入对GaN造成的辐射损伤以及辐射损伤注入剂量的变化进行了分析和比较.结果表明,随机注入造成的辐照损伤比沟道注入严重.

关键词： 离子注入 背散射 辐照损伤 碎晶 高分辨透射电镜 沟道注入

作者: 丁富荣 史平 王尧 A.Vantomme Q.Zhao

作者单位: 北京大学技术物理系(北京) Instituut voor Kern-en Stralingsfysica,Catholic University of Leuven,Celestijnenlaan 200D,B-3001 Leu

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 157-160

在线出版日期: 2004-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）