掺锑二氧化锡纳米晶体的灼烧温度和导电性的研究

摘要：

掺锑二氧化锡纳米材料是一种极好的导电材料,并对长波的可见光有很好的吸收性.以SnCl<,4>5H<,2>O和SbCI<,3>为原料,经控制pH非水反应-离子交换除氯方法制得单散性良好的氢氧化物粉末,在不同温度的条件下烧制纳米晶体.由于温度对掺锑二氧化锡纳米晶体的晶化程度和粒径的影响,使纳米晶体的导电性发生明显的变化,最佳烧制温度为850℃,在未扣除粉末接触电阻和夹层接触位垒电阻的条件下,电导率为3.9×10<”-3>Ω·cm.850℃以后电阻的增高是由于晶体表面层p型导体层的增厚阻碍内层n型导体的电子传导所致.

关键词： 灼烧温度 导电性 二氧化锡 纳米晶体 电阻 掺锑改性

作者: 张学俊 梁红波 林安 甘复兴

作者单位: 武汉大学资源与环境科学学院(武汉);贵州省发酵工程与生物制药重点实验室贵州工业大学(贵阳) 武汉大学资源与环境科学学院(武汉) 武汉大学资源与环境科学学院(武汉);中国科学院金属腐蚀与保护国家重点实验室(沈阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004中国(青岛)材料科技周

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 172-176

在线出版日期: 2004-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）