二次包封CMOS器件电子辐照实验研究

摘要：

对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1~2个数量级,得到了预期的数据和结果,这些工作为商用器件在空间的使用提供了很好的途径.

关键词： 二次封装 电离辐射 电子辐照实验 CMOS器件 半导体器件

作者: 卫宁 于伦正 郭红霞 党军

作者单位: 航天时代电子公司第771研究所(西安) 西北核技术研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届电子产品防护技术研讨会

会议地点: 安徽

会议语种:中文

页码: 135-141

在线出版日期: 2004-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）