CMOS集成电路ESD保护技术研究

摘要：

本文在对二级管、薄栅管、场管、LVSCR等体硅CMOS器件ESD保护原理分析的基础上,设计出基于LVSCR的复合ESD保护结构,并总结出ESD保护结构的设计要点.

关键词： 集成电路 静态电荷 静电损坏 强壮度

作者: 黄嵩人 王月玲 于宗光

作者单位: 中国电子科技集团公司第58所(无锡市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 621-626

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）