界面态对HEMT器件的影响

摘要：

本文通过对相同界面态对三种纵向结构的HEMT器件可靠性的影响和不同界面态对同一器件直流跨导影响的仿真,比较常规型(HEMT)、赝型(PHEMT),双异质结型(DHEMT)的可靠性,并且针对可靠性最好的PHEMT给出直流跨导随界面态密度的衰变曲线.

关键词： 半导体器件可靠性 直流跨导 界面态密度

作者: 宋迪 李志国 蔡晓丹

作者单位: 北京工业大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 617-620

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）