GaAs MMIC的Si<,3>N<,4>电容可靠性评价技术

摘要：

本文通过不同GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,研究分析了斜波电压下的TDDB特性,确定了氮化硅电容失效主要是由Si<,3>N<,4>介质的缺陷引起,通过不同斜波电压确定加速因子预计了10V电压的电容寿命,基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估GaAs MMIC的Si<,3>N<,4>介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对Si<,3>N<,4>介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测.

关键词： 氮化硅电容 导电特性 击穿特性 等效厚度

作者: 黄云 恩云飞

作者单位: 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 604-608

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）