lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量子阱的价带结构及状态密度

摘要：

该文运用能量表象方法计算了lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量于阱的能带结构和状态密度，分析了应变补偿效应对其能带结构和状态密度的影响，并讨论了有关参量的选择。

关键词： lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量子阱 价带结构 状态密度

作者: 马春生 金智

作者单位: 大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 30～33

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）