响应8-12 um的lnGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收

摘要：

利用分子束外延技术，研究人员生长了30周期的InGaAS/GaAS量子点超晶格。透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准。红外吸收测试观察到明显的垂直入射红外吸收，峰值波长为9.5um，第一次实现了量子点对应8—12um大气窗口的垂直入射红外吸收。这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。

关键词： lnGaAs／GaAs 准量子点超晶格 正入射红外吸收

作者: 庄乾东 李晋闽

作者单位: 科学院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 23～25

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）