包裹法制备BaTiO<,3>晶界层陶瓷电容器工艺研究
本论文介绍了一种制作BaTiO<,3>基晶界层陶瓷电容器的新工艺.利用非均相沉淀法,将Cu(OH)<,2>均匀包裹在BaTiO<,3>颗粒表面,在经高温煅烧得到CuO/BaTiO<,3>复合粉体.通过一次烧成方式制备晶界层电容器样品.利用差示扫描量热法(DSC)一热重(TG)分析技术对粉体进行热性能分析.采用XRD,SEM等分析手段对样品进行了表征.结果表明,采用非匀相共沉淀法获得的复合粉体中BaTiO<,3>和Cu(OH)<,2>或(CuO)两相之间的均匀分布.烧成样品的致密度显著影响晶界层电容器的介电常数和介质损耗.低频下BaTiO<,3>晶界层电容器的介电常数可以达到83000,这与样品独特的晶界层结构及不同频率下的极化方式有关.
晶界层 BaTiO<,3> 一次烧成 包裹法
吴广州 王海龙 辛玲 秦丹丹 张锐
郑州大学材料工程学院(河南)
国内会议
厦门
中文
169-175
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）