采用新型前驱体制备C<,f>/SiC复合材料的研究
本文采用碳布叠层预制体,以HMDS(Hexmethyldisilazane)为前驱体应用强制流动热力学梯度化学气相渗透工艺(Forced-flow Thermal Gradient Chemical Vapor Infiltration,FCVI)制备C<,f>/SiC复合材料,通过XRD分析,发现在1100℃时渗透沉积的基体为无定型SiC.结合化学分析和XRD的结果,认为复合材料的基体中杂质相为游离C和Si<,3>N<,4>.通过热处理发现,在1300℃处理温度下基体明显晶化.通过对复合材料中碳纤维的断裂形貌的观察分析,认为未经界面处理的复合材料中,纤维与基体间属强界面结合.通过TEM对基体形貌和衍射的分析认为,渗透沉积的基体为纳米多晶体.
复合材料 碳布叠层预制体 纳米多晶体
袁明 黄政仁 董绍明 江东亮
中国科学院研究生院 中科院上海硅酸盐研究所(上海)
国内会议
厦门
中文
107-111
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）