LiZn铁氧体单晶材料生长工艺研究
该文介绍了用加速坩锅旋转助熔剂生长法进行LiZn铁氧体单晶材料生长实验和后加工工艺实验及结果。采用组分配比为Li<,2>CO<,3>(5℅)、Fe<,2>O<,3>(20℅)、B<,2>O<,3>(10℅)、pbO(60℅)、ZnO(50℅)，从最高温1200℃降温到750℃，每小时降温2～5℃，生长的LiZn铁氧体单晶，其饱和磁 化强度Ms为280～314kA/m；铁磁共振线宽ΔH平均为0.35k/m，ΔH最小为0.26kA/m，其微波性能指标与俄罗斯Domain公司90/91年度的同类铁氧体单晶产品290kSH(Ms:290kA/m)和360kSH(Ms:360kA/m)<””1”>相当，填补国内铁氧体单晶材料系列中的一项空白。
LiZn铁氧体 单晶铁氧体 生长工艺 坩锅旋转助熔剂法
游斌
信息产业部电子九所
国内会议
北京
中文
437-438
1999-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）