GaAs半导体对1.06微米激光的吸收响应

摘要：

本文对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为10<”3>V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较,二者吻合很好.

关键词： 非本征吸收 光生载流子 光激发 俘获效应 GaAs半导体

作者: 吴明和 阮成礼 杨宏春 刘鸿 王玉明 薛长江

作者单位: 电子科技大学物理电子学院(成都) 成都大学(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会微波学会第五届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 广西

会议语种:中文

页码: 5-8

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）