一种PHEMT噪声参量提取新方法的原理修正与完善
修正了Jianjun Gao等人提出的PHEMT噪声参量提取原理”1”的部分内容,用链式噪声相关矩阵分析了源漏寄生电容C<,ds>对本征场效应管的四个噪声参数的影响,完整地给出了包含L<,s>、L<,g>、R<,d>、L<,d>、C<,pg>、C<,pd>、C<,pgd>的PHEMT的链式噪声相关矩阵,进一步完善了该噪声参量提取原理.
噪声参数 提取技术 噪声模型 源漏寄生电容 场效应管
周正林 王家波 李建平 许晓丽
南京电子器件研究所
国内会议
广西
中文
17-21
2004-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)