SiC MESFET中Ti/4H-SiC肖特基接触研究

摘要：

本文研究了n型4H-SiC MESFET器件中Ti/4H-SiC肖特基接触的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(I-V)测试得到横向肖特基势垒的理想因子n,有效肖特基势垒高度φ<,e>和串联电阻R<,n>.

关键词： 4H碳化硅 肖特基势垒 理想因子 势垒高度 宽禁带半导体

作者: 陈刚

作者单位: 南京电子器件研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会微波学会第五届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 广西

会议语种:中文

页码: 13-16

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）