薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价

摘要：

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)(time dependent dielectric breakdown)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.本文着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型外推出工作电压下栅氧化层的寿命.通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适.

关键词： 薄栅氧化物 击穿机理 斜坡电压法 寿命评价 集成电路 绝缘击穿 可靠性

作者: 王茂菊 李斌 章晓文 陈平 韩静

作者单位: 华南理工大学应用物理系(广州五山) 信息产业部电子第五研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 458-462

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）