PMOSFET的NBTI效应

摘要：

随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI效应成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法以及与之相关的一些前沿问题.

关键词： 栅氧可靠性 NBTI效应 退化现象 场效应器件 半导体器件

作者: 李若瑜 李斌 罗宏伟

作者单位: 华南理工大学应用物理系(广州五山) 信息产业部电子第五研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 454-457

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）