MOS器件的X射线辐照效应

摘要：

本文研究了在10Kev X射线辐照情况下MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,辐照后,与用C060作为辐射源辐照所做实验结果不同的是,在大剂量率的情况下,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度,文章对这种现象给出了合理的解释.

关键词： MOS器件 X射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性

作者: 刘远 李若瑜 恩云飞 李斌 罗宏伟 师谦

作者单位: 华南理工大学应用物理系(广州五山) 信息产业部电子第五研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 449-453

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）