硅多条探测器的研制

摘要：

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm有16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.对<”239>Pu α粒子的能量分辨为0.5﹪~0.9﹪,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4﹪~8﹪.

关键词： 硅多条探测器 微电子工艺 电特性 漏电流 探测特性 能量分辨率

作者: 谭继廉 靳根明 王宏伟 段利敏 袁小华 王小兵 李松林 卢子伟 徐瑚珊 宁宝俊 田大宇 王玮 张录

作者单位: 中国科学院近代物理研究所(甘肃兰州) 北京大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 68-71

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）