抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法

摘要：

从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法——伪闭锁路径法.在详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,提供了一个设计实例,给出了计算机仿真分析结果.伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动.

关键词： 体硅CMOS器件 伪闭锁路径法 闭锁效应 剂量率扰动

作者: 许献国 徐曦 胡健栋

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所(四川绵阳);北京邮电大学(北京) 中国工程物理研究院电子工程研究所(四川绵阳) 北京邮电大学(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 401-403

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）