国产GSO晶体的光产额测量

摘要：

采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体的光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对<”137>Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1﹪.

关键词： GSO晶体 光产额 单光电子 能量分辨率 光电倍增管 闪烁晶体

作者: 章志明 李道武 王宝义 张天保 魏龙 杨建春 周锦春

作者单位: 中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室(北京) 上海联能科技有限公司(上海) 萍乡高等专科学校(江西萍乡)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 187-189

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）