快响应低能X射线平面工艺Si电流型探测器研制

摘要：

叙述了采用传统的平面工艺技术制备的快响应电流型Si探测器的制备工艺.为了提高探测器的时间响应,对300чm厚的探测器进行了适当的减薄处理.给出了不同探测器样品减薄处理前后的漏电流测量结果及厚度100чm,灵敏面积为10、25mm<”2>的探测器在300V反向偏压下对<”241>Am α粒子电流响应测量结果.

关键词： 平面工艺技术 电流型探测器 快响应电流型 Si探测器 时间响应 漏电流测量

作者: 张万昌 丁洪林 何高魁 黄小健 王英

作者单位: 中国原子能科学研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 185-186,184

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）