硅纳米薄膜法向热导率的进一步分析
应用非平衡分子动力学NEMD方法进一步研究了平均温度为300K,厚度为2.715nm~43.44nm的单晶硅薄膜的法向热导率,模拟结果表明,薄膜热导率存在显著的尺寸效应,低于同温度下单晶硅的实验值,当膜厚度在20nm以下时,法向热导率随尺度增加线性增长,当膜厚度大于20nm时法向热导率随尺度近似二阶多项式变化.
纳米薄膜 分子动力学 法向热导率 硅薄膜
王增辉 李志信
清华大学工程力学系,过程节能与传热强化重点实验室(北京)
国内会议
吉林
中文
626-629
2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)